IPD80R1K4CEATMA1 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  IPD80R1K4CEATMA1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1 Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 3.9 A Rds On: 1.2 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3 Fall Time: 12 ns Gate Charge Qg: 23 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 63 W Rise Time: 15 ns Series: XPD80R1 Typical Turn-Off Delay Time: 72 ns Part # Aliases: SP001130972
• Количество страниц
  15 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  2,29 MB

IPD80R1K4CEATMA1 datasheet скачать

IPD80R1K4CEATMA1 datasheet